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SI5458DU-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? CHIPFET? 单
数量：: 5832
说明：: MOSFET 30V 6.0A 10.4W 51mohm @ 4.5V

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SI5458DU-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5458DU-GE3
典型关闭延迟时间：11 ns
上升时间：13 ns
功率耗散：10.4 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：9 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：15 S
下降时间：11 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK ChipFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.051 Ohms
漏极连续电流：6 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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