SI5471DC-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SMD，扁平引线
数量：: 5859
说明：: MOSFET -20V 20mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III

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SI5471DC-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5471DC-GE3
典型关闭延迟时间：70 ns, 78 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：35 ns, 8 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：33 ns, 22 ns
包装形式：Reel
封装形式：ChipFET-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Hex Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：6 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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