SI5475BDC-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SMD，扁平引线
数量：: 8532
说明：: MOSFET 12V 6.0A 6.3W

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SI5475BDC-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5475BDC-E3
典型关闭延迟时间：62 ns, 65 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：38 ns, 15 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：70 ns, 72 ns
包装形式：Reel
封装形式：1206-8 ChipFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：28 mOhms
漏极连续电流：7.7 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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