Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI8487DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET -30V 31mOhm@10V 7.7A P-Ch G-III | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续... | ||||||
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SI8489EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-UFBGA | 3,000 | MOSFET -20V 44mOhm@10V 5.4A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续... | ||||||
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SI8497DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-microfoot | MOSFET -30V 53mOhm@4.5V 13A P-Ch G-III | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续... | ||||||
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SI8499DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-UFBGA | 4,805 | MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电流：- 7.8 A，电... | ||||||
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SI8800EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 20Volt N-Channel Micro Foot-4 | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：2.8 A，电阻汲极/源... | ||||||
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SI8802DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | 285 | MOSFET 8V N-CH Micro Foot | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流：3... | ||||||
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SI8805EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 8V P-CH Micro Foot | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 8 V，闸/源击穿电压：5 V，漏极连续电流... | ||||||
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SI8806DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA | MOSFET 12V 3.9A 0.9W 4.3mOhms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：... | ||||||
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SI8808DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-UFBGA | 1,617 | MOSFET 30V 2.5A 0.9W 0.095ohms @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：... | ||||||
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SI8809EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 20V 2.6A 0.9W 90mOhms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SI8812DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-UFBGA | 3,000 | MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：... | ||||||
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SI8817DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA | 10 | MOSFET -20V 76mOhm@4.5V 2.9A P-Ch G-III | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电... | ||||||
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SI8461DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 20V 3.7A 1.8W 100mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 3.7 A，电阻... | ||||||
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SI8451DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-UFBGA | MOSFET 20V 10.8A 13W 80mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SI8445DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 4-XFBGA，CSPBGA | MOSFET 20V 9.8A 11.4W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏... | ||||||
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SI8447DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（1.5x1） | 15 | MOSFET 20V 11A 13W 75mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，... | ||||||
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SI8441DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（1.5x1） | MOSFET 80mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏... | ||||||
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SI5853CDC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET 20V 4.0A 3.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5853DC-T1 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET | MOSFET 20V 3.6A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI5853DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 1206-8 ChipFET? | MOSFET 20V 3.6A 2.1W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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