Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI8404DB-T1-E1 | Vishay/Siliconix | 4-Microfoot | MOSFET 8.0V 12.2A 6.25W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：8 V，闸/源击穿电压：+/- 5 V，漏极连续... | ||||||
|
SI8901DB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | Micro Foot-6 | MOSFET 20V 4.4A 1.7W 60mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
|
SI8901EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | 6-Micro Foot?（2.36x1.56） | MOSFET 20V 4.4A 1.7W 60mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极... | ||||||
|
SIHB12N50C-E3 | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Channel 500V | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电流：12 A，电阻汲极/... | ||||||
|
SiHB12N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHB15N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：15 A，电阻汲极/源... | ||||||
|
SiHB16N50C-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 977 | MOSFET N-Channel 500V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
|
|
SiHB22N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHB22N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHB22N60S-E3 | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET 600V N-Channel Superjunction D2PAK | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SiHB24N65E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHB24N65E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SiHB30N60E-E3 | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Channel 600V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHB30N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 972 | MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
SIHB33N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 3,958 | MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：4 V，漏极连续电流... | ||||||
|
SiHD3N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 500V 3.2ohm@10V 3A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
SiHD5N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续电... | ||||||
|
SIHD7N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲极/源极... | ||||||
|
|
SIHD7N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 169 | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：4 V，漏极连续电流... | ||||||
|
SIHD7N60ET-GE3 | Vishay/Siliconix | DPAK (TO-252) | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：4 V，漏极连续电流... | ||||||
117/219 首页 上页 [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] 下页 尾页
