SIHB12N50C-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: D2PAK（TO-263）
数量：: 6255
说明：: MOSFET N-Channel 500V

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SIHB12N50C-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：208 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：3 S
包装形式：Bulk
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.46 Ohms
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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