SIHD7N60E-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 4608
说明：: MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

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SIHD7N60E-E3-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

SIHD7N60E-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

最小工作温度：- 55 C
封装形式：DPAK (TO-252)
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：600 mOhms at 10 V
漏极连续电流：7 A
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHD7N60E-E3的详细信息，包括SIHD7N60E-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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