SIHD3N50D-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 4590
说明：: MOSFET 500V 3.2ohm@10V 3A N-Ch D-SRS

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SIHD3N50D-GE3-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

SIHD3N50D-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：9 ns
功率耗散：104 W
栅极电荷 Qg：6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：1 S
下降时间：13 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK (TO-252)
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.2 Ohms at 10 V
漏极连续电流：3 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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