SIHD4N80E-GE3

厂家：: Vishay Siliconix
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 6993
说明：: MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK

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SIHD4N80E-GE3-TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63图片

SIHD4N80E-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装/外壳：TO-252AA
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
同步整流器：69W（Tc）
频率 - 开关：-
电流 - 输出：622 pF @ 100 V
电压 - 输出（最大值）：±30V
电压 - 输出（最小值/固定）：32 nC @ 10 V
电压 - 输入（最大值）：4V @ 250μA
电压 - 输入（最小值）：1.27 欧姆 @ 2A，10V
输出数：10V
输出类型：4.3A（Tc）
拓扑：800 V
输出配置：MOSFET（金属氧化物）
功能：N 通道
产品状态：在售
包装：E
系列：散装
品牌：Vishay Siliconix

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