Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶体管和集成电路 (IC)用于管理和转换计算机、手机和通信基础架构中的电源，也可用计算机磁盘驱动器和汽车系统中的运动控制。 Vishay/Siliconix模拟开关IC用于对仪表仪器和多种工业产品中的模拟信号进行感应、开关和路径设定。 |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SI2323DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2325DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 150V 0.69A 0.75W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI2325DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 150V 0.69A 1.25W 1.2ohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI2327DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 200V 0.49A 1.25W 2.35 ohms @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI2327DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 200V 0.49A 1.25W 2.35ohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI2328DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 100V 1.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI2328DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 100V 1.5A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI2328DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 100V 1.5A 1.25W 250mohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI2331DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 12V 3.6A 0.71W | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2331DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 12V 3.6A 0.89W 48mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2333CDS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 125,332 | MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2333CDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 87 | MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2333DDS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET -12V 28mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电... | ||||||
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SI2333DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 50,242 | MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2333DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 3,161 | MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32mohm @ 4.5V | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2335DS-T1 | Vishay/Siliconix | TO-236-3 | MOSFET 12V 4.0A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2335DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 12V 4.0A | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2335DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-3（TO-236） | MOSFET 12V 4.0A 1.25W 51mohm @ 4.5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连... | ||||||
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SI2336DS-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：5.2 A，电阻... | ||||||
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SI2337DS-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 890 | MOSFET 80V 2.2A 2.5W | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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