首页 > 电子元件分类 > 电源 > 电源管理 IC > 开关变换器、稳压器与控制器 > SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：
 7533  
说明：
 MOSFET -12V 28mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI2333DDS-T1-GE3-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3图片

SI2333DDS-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26 ns
商标名：P-Channel Gen III
上升时间：24 ns
功率耗散：1.7 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：18 S
下降时间：20 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23 (TO-236)
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：28 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 6 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：- 12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI2333DDS-T1-GE3的详细信息，包括SI2333DDS-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器   低压差控制器 - LDO   反馈回路功率控制器   功率因数校正 IC   电压模式 PWM 控制器  

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：

  • XC9265B14BMR-G
  • XC9265B141MR-G
  • XC9265B13BMR-G
  • XC9265B131MR-G
  • XC9265B12BMR-G
  • XC9265B11BMR-G
  • XC9265B111MR-G
  • XC9265B10BMR-G
  • XC9265B101MR-G
  • XC9265A161MR-G

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC