SI2327DS-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
数量:
 6867  
说明:
 MOSFET 200V 0.49A 1.25W 2.35ohm @ 10V
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SI2327DS-T1-GE3-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3图片

SI2327DS-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI2327DS-GE3
工厂包装数量:3000
功率耗散:750 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:TO-236-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):2.35 Ohms
漏极连续电流:0.49 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI2327DS-T1-GE3的详细信息,包括SI2327DS-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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