SI2333CDS-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
数量:
 6990  
说明:
 MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V
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SI2333CDS-T1-GE3-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3图片

SI2333CDS-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI2333CDS-GE3
典型关闭延迟时间:45 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:35 ns
功率耗散:1.25 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:35 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-23-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.035 Ohms
漏极连续电流:5.1 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:12 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI2333CDS-T1-GE3的详细信息,包括SI2333CDS-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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