Toshiba
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Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) is an independent operating company owned by Toshiba America, Inc., a subsidiary of Toshiba Corporation, Japan's largest semiconductor manufacturer. Toshiba is a global leader in the design and manufacture of high-quality Flash memory-based storage solutions, discrete devices, custom SoCs/ASICs, digital multimedia and imaging products, microcontrollers (MCUs), and wireless components.Toshiba products are ideal for automotive, imaging, LED lighting, mobile, multimedia, and wireless applications. |
| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SSM6N7002FUTE85LF | Toshiba | US-6 | 300 | MOSFET SMOS | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电... | ||||||
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SSM6P47NU,LF | Toshiba | 6-μDFN（2x2） | MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS | ||
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：- 4 A，电阻汲... | ||||||
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SSM6P49NU,LF | Toshiba | 6-UDFN（2x2） | MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS | ||
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电流：- 4 A，电阻... | ||||||
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2SK3667 | Toshiba | MOSFET N-Ch 600V 7.5A Rdson 1 Ohm | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：否，... | ||||||
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2SK3667(Q) | Toshiba | TO-220 SIS | MOSFET N-Ch 600V 7.5A Rdson 1 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... | ||||||
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2SK3667(Q,M) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 7.5A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，工厂包装数量：50，... | ||||||
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2SK2035(T5L,F,T) | Toshiba | SSM | MOSFET High Speed FET 20VDS 10VGSS 100mA | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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2SK1359(F) | Toshiba | TO-3 PN | MOSFET N-Ch FET RDS 3.0 Ohm IDSS 300uA VDSS 1kV | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V... | ||||||
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2SK1365(F) | Toshiba | TO-3P(N)IS | MOSFET N-ch 1000V 7A 1.5 ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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2SK1489(Q) | Toshiba | TO-3P | MOSFET MOSFET N-Ch 1000V 12A Rdson 1 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V... | ||||||
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2SK1530-Y(F) | Toshiba | TO-3 PL | MOSFET MOSFET N-CH 200V 12A TO-3PL | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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2SK3742 | Toshiba | MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson 2.5 Ohm | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：否，... | ||||||
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2SK3742(Q) | Toshiba | TO-220 SIS | MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson 2.5 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... | ||||||
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2SK3742(Q,M) | Toshiba | TO-220 | 188 | MOSFET N-Ch 900V 5A 45W PD Rdson 2.2 Ohm | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... | ||||||
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2SK3757(Q) | Toshiba | TO-220 SIS | 224 | MOSFET PW MOSFET N-Ch 450V 2A 2.45 Ohm | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：450 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... | ||||||
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2SK3758(Q,M) | Toshiba | TO-220AB | MOSFET MOSFET N-Ch 500V 5A Rdson Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
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2SK3767(Q) | Toshiba | TO-220SIS | 41 | MOSFET N-Ch 600V 2A Rdson 4.5 Ohm | |
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：30 V，漏极连续... | ||||||
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2SK3767(Q,M) | Toshiba | TO-220SIS | MOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 2A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，安装风格：Through Hole，封装形式：TO-220SIS，工厂包装数量：50，... | ||||||
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2SC5810(TE12L,F) | Toshiba | MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns | |||
| 参数：制造商：Toshiba，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，... | ||||||
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2SK2231 | Toshiba | MOSFET INCORRECT MOUSER P/N Rdson 0.12 Ohm | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：否，包装形式：Bulk，工厂包装数量：200，... | ||||||
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