首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > 2SK1359(F)

2SK1359(F)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-3 PN
数量：
 6606  
说明：
 MOSFET N-Ch FET RDS 3.0 Ohm IDSS 300uA VDSS 1kV
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

2SK1359(F) PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：18 ns
功率耗散：125 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-3 PN
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.8 Ohms
漏极连续电流：5 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：1000 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK1359(F)的详细信息，包括2SK1359(F)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • FDPF035N06B-F154
  • TK5Q60W,S1VQ
  • NTMYS3D5N04CTWG
  • IPB65R660CFDATMA1
  • MCP75N10Y-BP
  • TK5R3E08QM,S1X
  • SIR5710DP-T1-RE3
  • SIR4604LDP-T1-GE3
  • SIHU6N80AE-GE3
  • IPU95R2K0P7AKMA1

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC