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2SK3767(Q)

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-220SIS
数量：
 3542  
说明：
 MOSFET N-Ch 600V 2A Rdson 4.5 Ohm
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2SK3767(Q) PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：48 ns
工厂包装数量：50
上升时间：40 ns
功率耗散：250 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：18 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-220SIS
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4.5 Ohms
漏极连续电流：2 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK3767(Q)的详细信息，包括2SK3767(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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