2SK1489(Q)

厂家:
  Toshiba
封装:
 TO-3P
数量:
 6660  
说明:
 MOSFET MOSFET N-Ch 1000V 12A Rdson 1 Ohm
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

2SK1489(Q) PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

工厂包装数量:25
上升时间:100 ns
功率耗散:200 W
下降时间:150 ns
包装形式:Bulk
封装形式:TO-3P
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1 Ohms
漏极连续电流:12 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:1000 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是2SK1489(Q)的详细信息,包括2SK1489(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC