VS-ETF150Y65N

厂家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装：: 模块
数量：: 3986
说明：: IGBT MOD 650V 201A 600W

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VS-ETF150Y65N PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装封装/外壳：模块
安装类型：-
工作温度：175°C（TJ）
NTC 热敏电阻：是
输入：标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies)：-
电流 - 集电极截止（最大值）：-
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.17V @ 15V，150A
功率 - 最大值：600 W
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：201 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
配置：半桥逆变器
IGBT 类型：NPT
产品状态：停产
包装：FRED Pt?
系列：盒
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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