首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > TPN14006NH,L1Q

TPN14006NH,L1Q

厂家：
  Toshiba
封装：
 8-TSON Advance（3.1x3.1）
数量：
 4104  
说明：
 MOSFET N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
TPN14006NH,L1Q-8-TSON Advance（3.1x3.1）图片

TPN14006NH,L1Q PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：18 ns
上升时间：9 ns
功率耗散：30 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：15 nC
下降时间：5.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：11 mOhms
漏极连续电流：33 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TPN14006NH,L1Q的详细信息，包括TPN14006NH,L1Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • RJK0656DPB-00#J5
  • NVTFS6H850NLTAG
  • SQJ446EP-T1_BE3
  • MSJU07N65A-TP
  • IPA70R450P7SXKSA1
  • DMT6004LPS-13
  • SQJ459EP-T1_GE3
  • AOD380A60
  • TK5R1A08QM,S4X
  • RD3G03BBGTL1

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC