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TPN22006NH,LQ

厂家：
  Toshiba
封装：
 8-PowerVDFN
数量：
 4158  
说明：
 MOSFET N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC
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TPN22006NH,LQ-8-PowerVDFN图片

TPN22006NH,LQ PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 ns
上升时间：4.6 ns
功率耗散：18 W
栅极电荷 Qg：12 nC
下降时间：3.3 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSON-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：18 mOhms
漏极连续电流：21 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TPN22006NH,LQ的详细信息，包括TPN22006NH,LQ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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