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TPN2R503NC,L1Q

厂家：
  Toshiba
封装：
 8-PowerVDFN
数量：
 4194  
说明：
 MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W
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TPN2R503NC,L1Q-8-PowerVDFN图片

TPN2R503NC,L1Q PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：68 ns
上升时间：9 ns
功率耗散：35 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：40 nC
下降时间：24 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSON-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.1 mOhms
漏极连续电流：85 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TPN2R503NC,L1Q的详细信息，包括TPN2R503NC,L1Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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