STS1HNK60

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 3564  
说明:
 MOSFET NPN Transistor
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STS1HNK60-8-SOIC(0.154

STS1HNK60 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:2500
上升时间:5 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 65 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :1 S
下降时间:25 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):8.5 Ohms
漏极连续电流:0.3 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STS1HNK60的详细信息,包括STS1HNK60厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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