STS20N3LLH6

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 8-SOIC
数量:
 342  
说明:
 MOSFET N-Ch 40V 0.00625 Ohm 15A, S0-8 STripFET
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STS20N3LLH6-8-SOIC图片

STS20N3LLH6 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:37 ns
上升时间:30 ns
功率耗散:2.7 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:17 nC
下降时间:12 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.7 mOhms
漏极连续电流:20 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STS20N3LLH6的详细信息,包括STS20N3LLH6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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