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STS1NC60

厂家：: STMicroelectronics
封装：: SO-8
数量：: 1026
说明：: MOSFET

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STS1NC60 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：2500
上升时间：8 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 60 C
下降时间：11 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：15 Ohms
漏极连续电流：0.3 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

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