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STGWT15H60F

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-3P
数量：
 8901  
说明：
 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE
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STGWT15H60F-TO-3P图片

STGWT15H60F PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：-
测试条件：400V，15A，10 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：24.5ns/118ns
栅极电荷：81 nC
输入类型：标准
开关能量：136μJ（开），207μJ（关）
功率 - 最大值：115 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，15A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：停产
包装：H
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是STGWT15H60F的详细信息，包括STGWT15H60F厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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