STGWT30HP65FB

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-3P
数量:
 7767  
说明:
 IGBT TRENCH 650V 60A TO3P
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STGWT30HP65FB PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
安装类型:通孔
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):140 ns
测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值:-/146ns
栅极电荷:149 nC
输入类型:标准
开关能量:293μJ(关)
功率 - 最大值:260 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
IGBT 类型:沟槽型场截止
产品状态:在售
包装:HB
系列:管件
品牌:STMicroelectronics

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