STGP4M65DF2

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220
数量：: 7605
说明：: IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS

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STGP4M65DF2 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-220-3
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：133 ns
测试条件：400V，4A，47 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：12ns/86ns
栅极电荷：15.2 nC
输入类型：标准
开关能量：40μJ（开），136μJ（关）
功率 - 最大值：68 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：16 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：M
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

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