STGP5H60DF

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220
数量：: 7092
说明：: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

一、本商品被浏览0次.

STGP5H60DF PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-220-3
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：134.5 ns
测试条件：400V，5A，47 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：30ns/140ns
栅极电荷：43 nC
输入类型：标准
开关能量：56μJ（开），78.5μJ（关）
功率 - 最大值：88 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，5A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：20 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是STGP5H60DF的详细信息，包括STGP5H60DF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：