STGFW30H65FB

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-3PF-3
数量:
 8676  
说明:
 IGBT 650V 60A 58W TO3PF
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STGFW30H65FB PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3
安装类型:通孔
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):-
测试条件:400V,30A,10 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值:37ns/146ns
栅极电荷:149 nC
输入类型:标准
开关能量:151μJ(开),293μJ(关)
功率 - 最大值:58 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
IGBT 类型:沟槽型场截止
产品状态:停产
包装:-
系列:管件
品牌:STMicroelectronics

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