SIR624DP-T1-GE3

厂家：: Vishay Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 2682
说明：: MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8

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SIR624DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：52W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1110 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23 nC @ 7.5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 10A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18.6A（Tc）
漏源电压（Vdss）：200 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：ThunderFET?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Vishay Siliconix

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