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中文参数如下:
零件号别名:SIR640DP-GE3
典型关闭延迟时间:50 nS
上升时间:11 nS
功率耗散:104 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:34.6 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :110 S
下降时间:10 nS
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.7 mOhms at 10 V
漏极连续电流:60 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay
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