SIB419DK-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? SC-75-6
数量:
 1998  
说明:
 MOSFET 12V 9.0A 13.1W 60mohm @ 4.5V
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SIB419DK-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SIB419DK-GE3
典型关闭延迟时间:28 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:42 ns
功率耗散:2.45 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :11 S
下降时间:9 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK SC75-6L
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.089 Ohms
漏极连续电流:- 9 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:- 12 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIB419DK-T1-GE3的详细信息,包括SIB419DK-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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