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SIB457EDK-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK? SC-75-6
数量：
 29484  
说明：
 MOSFET -20V 35mOhm@4.5V 9A P-Ch G-III
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SIB457EDK-T1-GE3-PowerPAK? SC-75-6图片

SIB457EDK-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIB457EDK-GE3
功率耗散：2.4 W
栅极电荷 Qg：13 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：16 S
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC-75-6L Single
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：35 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 6.8 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIB457EDK-T1-GE3的详细信息，包括SIB457EDK-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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