SIB437EDKT-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? TSC75-6
数量：: 6057
说明：: MOSFET 8V 9A 13W 34MOHMS @ 4.5V

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SIB437EDKT-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIB437EDKT-GE3
上升时间：170 ns
功率耗散：2.4 W
栅极电荷 Qg：10.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：14 A
下降时间：630 ns
包装形式：Reel
封装形式：SC-75-6
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.028 Ohms
漏极连续电流：- 7.5 A
闸/源击穿电压：5 V
汲极/源极击穿电压：- 8 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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