SI5511DC-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 1206-8 ChipFET?
数量：: 6021
说明：: MOSFET N/P-CH 30V 1206-8

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SI5511DC-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：55 毫欧 @ 4.8A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A, 3.6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：7.1nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：435pF @ 15V
功率 - 最大：3.1W, 2.6W
安装类型：表面贴装

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