SI5515DC-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 1206-8 ChipFET?
数量:
 5022  
说明:
 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
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SI5515DC-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:
FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:40 毫欧 @ 4.4A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.4A, 3A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :-
功率 - 最大:1.1W
安装类型:表面贴装

以上是SI5515DC-T1-GE3的详细信息,包括SI5515DC-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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