SI5517DU-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? ChipFet 双
数量：: 6066
说明：: MOSFET N-AND P-CH 20V(D-S)

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SI5517DU-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5517DU-E3
典型关闭延迟时间：40 ns, 40 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：65 ns, 35 ns
功率耗散：2.3 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns, 55 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK-8 ChipFET Dual
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：39 mOhms, 72 mOhms
漏极连续电流：7.2 A, 4.6 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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