SI1555DL-T1

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOT-363-6
数量:
 243  
说明:
 MOSFET 20/8 0.7/0.6
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SI1555DL-T1 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:10 ns
商标名:TrenchFET
工厂包装数量:3000
上升时间:16 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
功率耗散:270 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:16 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
包装形式:Reel
封装形式:SOT-363-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.385 Ohms, 0.6 Ohms
漏极连续电流:0.7 A, 0.6 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V, +/- 8 V
汲极/源极击穿电压:+ 20 V, - 8 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI1555DL-T1的详细信息,包括SI1555DL-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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