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SI1557DH-T1

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOT-363-6
数量：
 252  
说明：
 MOSFET N/P-Ch 12V 1.0/0.56A
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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：25 nS, 15 nS
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：3000
上升时间：25 nS, 30 nS
功率耗散：600 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：0.8 nC, 1.1 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：0.8 S, 1.2 S
下降时间：10 nS, 10 nS
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.235 Ohms at 4.5 V, 0.535 Ohms at - 4.5 V
漏极连续电流：1.3 A, 0.86 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：+/- 12 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI1557DH-T1的详细信息，包括SI1557DH-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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