SI1563EDH-T1

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOT-363-6
数量:
 279  
说明:
 MOSFET 20V 1.28/1.0
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SI1563EDH-T1-SOT-363-6图片

SI1563EDH-T1 PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:350 nS, 840 nS
商标名:TrenchFET
工厂包装数量:3000
上升时间:85 nS, 480 nS
功率耗散:570 mW
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:0.65 nC, 1.2 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :2.6 S, 1.5 S
下降时间:210 nS, 850 nS
包装形式:Reel
封装形式:SOT-363-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.28 Ohms at 4.5 V, 0.49 Ohms at - 4.5 V
漏极连续电流:1.28 A, - 1 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:+/- 20 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI1563EDH-T1的详细信息,包括SI1563EDH-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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