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SGH15N120RUFTU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-3P-3
数量：: 5805
说明：: IGBT 晶体管

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SGH15N120RUFTU PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：30
安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
集电极最大连续电流 Ic：24 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P-3
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：180 W
栅极—射极漏泄电流：100 uA
在25 C的连续集电极电流：24 A
栅极/发射极最大电压：+/- 25 V
集电极—射极饱和电压：2.3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是SGH15N120RUFTU的详细信息，包括SGH15N120RUFTU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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