SGH10N120RUFTU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-3P-3
数量:
 5778  
说明:
 IGBT 晶体管
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SGH10N120RUFTU-TO-3P-3图片

SGH10N120RUFTU PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:30
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 55 C
集电极最大连续电流 Ic:16 A
包装形式:Tube
封装形式:TO-3P-3
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:125 W
栅极—射极漏泄电流:100 nA
在25 C的连续集电极电流:16 A
栅极/发射极最大电压:+/- 25 V
集电极—射极饱和电压:3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
配置:Single
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:Fairchild Semiconductor

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