NE350184C-A

厂家:
  NEC/CEL
封装:
 Micro-X Ceramic (84 C)
数量:
 3348  
说明:
 射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
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NE350184C-A-Micro-X Ceramic (84 C)图片

NE350184C-A PDF参数资料

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中文参数如下:

包装形式:Tube
封装形式:Micro-X Ceramic (84 C)
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:165 mW
最大工作温度:+ 150 C
漏极连续电流:70 mA
闸/源击穿电压:- 3 V
漏源电压 VDS:4 V
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :40 mS
噪声系数:0.7 dB
增益:13.5 dB
频率:20 GHz
技术类型:HEMT
RoHS:是
产品种类:射频GaAs晶体管
制造商:NEC

以上是NE350184C-A的详细信息,包括NE350184C-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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