IRF6614

厂家：: International Rectifier
封装：: DirectFET? 等容 ST
数量：: 3897
说明：: MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs

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IRF6614 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：18 ns
工厂包装数量：4800
上升时间：27 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作温度：- 40 C
下降时间：3.6 ns
包装形式：Reel
封装形式：Direct-FET ST
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.3 m Ohms
漏极连续电流：12.7 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

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