IRF6617TR1

厂家：: International Rectifier
封装：: DirectFET? 等容 ST
数量：: 1818
说明：: MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC

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IRF6617TR1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：12 ns
工厂包装数量：1000
功率耗散：2.1 W
最小工作温度：- 40 C
包装形式：Reel
封装形式：Direct-FET ST
配置：Single Dual Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.1 mOhms
漏极连续电流：14 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

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