IRF6608

厂家：: International Rectifier
封装：: DirectFET? 等容 ST
数量：: 1287
说明：: MOSFET

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IRF6608 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：16 ns
工厂包装数量：4800
上升时间：12 ns
功率耗散：42 W
最小工作温度：- 40 C
栅极电荷 Qg：15 nC
下降时间：3.4 ns
包装形式：Reel
封装形式：Direct-FET ST
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：11 mOhms
漏极连续电流：11.8 A
闸/源击穿电压：12 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

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