IRF6608TR1

厂家:
  International Rectifier
封装:
 DirectFET? 等容 ST
数量:
 1305  
说明:
 MOSFET
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IRF6608TR1 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:16 ns
工厂包装数量:1000
功率耗散:2.1 W
最小工作温度:- 40 C
包装形式:Reel
封装形式:Direct-FET ST
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):9 mOhms
漏极连续电流:13 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:International Rectifier

以上是IRF6608TR1的详细信息,包括IRF6608TR1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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