IRF6609TR1

厂家：: International Rectifier
封装：: DirectFET? 等容 MT
数量：: 1332
说明：: MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC

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IRF6609TR1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：26 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：95 ns
功率耗散：89 W
最小工作温度：- 40 C
下降时间：9.8 ns
包装形式：Reel
封装形式：Direct-FET MT
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.6 m Ohms
漏极连续电流：31 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

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