IPD65R600E6

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TO-252
数量:
 6010  
说明:
 MOSFET N-CH 700V 7.3A
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IPD65R600E6 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6XT SP000800216
功率耗散:63 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:TO-252
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.54 Ohms
漏极连续电流:7.3 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:700 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

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