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IPD70N04S307

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 TO-252
数量：
 99  
说明：
 MOSFET
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IPD70N04S307 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：17 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：8 ns
功率耗散：79 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：7 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.8 m Ohms
漏极连续电流：70 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPD70N04S307的详细信息，包括IPD70N04S307厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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